ニュースリリース

長野営業所移転のご案内

拝啓
 時下益々ご清栄のこととお慶び申し上げます。平素は格別のご高配を賜わり厚くお礼申し上げます。
 さて、この度 弊社長野営業所を下記の通り移転し、平成28年10月3日より業務の運びとなりました。
 つきましては、ご高承の上、今後一層のご愛顧を賜わりますようお願い申し上げます。

敬具
平成28年10月吉日

長州産業株式会社 長野営業所
移転先  〒390-0813 長野県松本市埋橋1-3-19-101
TEL  (0263)36-6814   FAX  (0263)36-6815
     ※TEL、FAXは変更ございません。
業務開始日 平成28年10月3日(月)

太陽電池モジュールGシリーズ[プレミアムブルー]タイプ発売

長州産業株式会社は、太陽電池モジュールGシリーズの新製品として[プレミアムブルー]タイプを2016年8月8日(月)より発売いたしました。[プレミアムブルー]タイプではこれまでのリアエミッタヘテロ接合構造セルとマルチワイヤ電極に加え、新たに新型封止材による波長変換機能を採用し、公称最大出力320W、実効変換効率21.7%という業界トップクラスの発電性能を実現しております。

〈新製品の内容は下表のとおりです〉

新製品
品番 タイプ 公称
最大出力
メーカー
希望小売価格(税別)
モジュール
出力保証
発売日
CS-320G31 60セル
外曲げフレーム
320W 本体価格
¥208,000+消費税
25年 2016年
8月8日(月)
CS-282G31 54セル
外曲げフレーム
282W 本体価格
¥183,300+消費税

製品の詳細につきましては、下記ページをご覧ください。
長州産業|住宅用太陽光発電・蓄電システム > 製品情報 > Gシリーズモジュール

欧州太陽光発電国際会議にてポスター賞を受賞

太陽光発電メーカーの長州産業株式会社(本社:山口県山陽小野田市新山野井、社長:岡本 晋、資本金:4億1千万円)は、ECN(註1)との間でMWT(メタル・ラップ・スルー)型バックコンタクト太陽電池に関する共同研究を進めてきました。この共同研究の結果、MWT太陽電池で23.1%のセル変換効率を達成し、これまで弊社が持っていた世界最高記録(21.5%)を大幅に更新しました。

その成果を2016年6月にドイツ ミュンヘンで開催された欧州太陽光発電国際会議にて発表したところ、ポスター賞を受賞することが出来ました。結晶シリコン分野全体で285件もの多くの発表があり、これらの発表の中で受賞した発表は僅か2件でした。そのような状況の中でこの度獲得した賞の価値は非常に高いものであり、大変喜ばしく思います。これにより、MWT太陽電池は次世代の高効率太陽電池として期待できることが証明され、また、弊社の研究開発成果が世界的に傑出したものであることが認められました。
今後も、研究開発に勤しみ、高性能な太陽電池を製品化し、お客様にお届けできるよう精進して参ります。

(註1)ECNについて:ECNは、The Energy Research Centre of Netherlands(オランダ・エネルギー研究所)の略称です。この研究所は、革新的な太陽エネルギー技術を世界の産業界に向けて発信し続けています。ECNの技術は、太陽エネルギーを含め多岐にわたる再生可能エネルギー(バイオマス、風力、水素、クリーンな化石燃料利用)に及んでいます。これらの技術は産業界の多くの分野へ移転されています。

ポスター賞受賞の賞状

成果発表のポスター

仙台営業所移転のご案内

拝啓
 時下益々ご清栄のこととお慶び申し上げます。平素は格別のご高配を賜わり厚くお礼申し上げます。
 さて、この度 弊社仙台営業所を下記の通り移転し、平成28年7月4日より業務の運びとなりました。
 つきましては、ご高承の上、今後一層のご愛顧を賜わりますようお願い申し上げます。

敬具
平成28年7月吉日

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長州産業株式会社 仙台営業所

移転先 〒984-0032 宮城県仙台市若林区荒井字堀添20-16
新TEL (022)287-7122    新FAX  (022)287-7113
業務開始日   平成28年7月4日(月)

熊本県を中心とした地震被害に対する支援につきまして

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この度の熊本県を中心とした地震により被災された方々の支援にお役立ていただくため、代表取締役社長の岡本晋が熊本県庁を訪問し、弊社を代表して義援金を寄付させていただきました。

この度の地震におきまして被災された皆様に心よりお見舞い申し上げますと共に、一日も早い復興と皆様のご健康をお祈りいたします。

PV EXPO 2016(第9回 国際 太陽電池展)ご来場のお礼

長州産業のブースに多数のご来場をいただき、誠にありがとうございました。

2016年3月2日(水)~4日(金)に東京ビッグサイトにて開催されましたPV EXPOにおきましては、ご多忙中にもかかわらず私どものブースにご来場いただき、誠にありがとうございました。
お蔭様をもちまして盛況のうちに展示会を終了することが出来ました。重ねてお礼申し上げます。

今回のPV EXPOでは、現在当社が販売に力を入れております『電気をためる機能がついた新しい太陽光システム[スマートPV]』の実演をはじめ、高効率化技術を搭載した新型太陽電池モジュール、屋根一体型施工などを展示し、皆様より多数のご意見、ご感想をいただきました。

皆様から賜りました貴重なご意見をもとに、より一層製品とサービスの向上に努力して参ります。
今後とも、ご指導ご鞭撻いただけますようお願い申し上げます。

卓球全日本選手権 石川佳純選手3連覇おめでとう

長州産業株式会社TVCMに出演中の石川佳純選手が、
東京体育館で行われた卓球の全日本選手権女子シングルスで
3年連続4回目の優勝をしました。長州産業株式会社は、石川佳純選手を応援しています。

○石川佳純選手オフィシャルウェブサイト
 http://kasumiishikawa.com/

石川 佳純選手と長州産業株式会社 取締役社長 岡本 晋

社長交代のお知らせ

2016年1月1日をもちまして、当社代表取締役社長 岡本 要(おかもと かなめ)が代表取締役会長に、代表取締役専務 岡本 晋(おかもと すすむ)が代表取締役社長にそれぞれ就任いたしました。

これまでのご支援に感謝申し上げますとともに、今後とも変わらぬご指導、ご鞭撻を賜わりますよう、宜しくお願い申し上げます。

PV EXPO 2016(第9回 国際 太陽電池展)出展のご案内

長州産業株式会社は2016年3月2日(水)~4日(金)に東京ビッグサイトにて開催される、『PV EXPO 2016(第9回 国際 太陽電池展)』に出展いたします。
当該展示会は太陽電池/太陽光発電システム、およびそれらに係る周辺機器の研究開発・製造に必要なあらゆる製品・技術が一堂に集まる国際的なイベントです。

当社ブースでは、電気をつくって、ためて、かしこく使える「スマートPV」の紹介をはじめ、これまで太陽光発電メーカーとして培ってきた独自技術を融合させた高効率太陽電池や、ワンランク上の生活を実現するエネルギーマネジメントシステムを出展し、皆様に一歩進んだエネルギーの形をご提案致します。

当社ブースへのご訪問を心よりお待ちしております。是非お立ち寄りください。

■長州産業出展情報

展示のみどころ
(予定)
  • 蓄電機能付太陽光発電システム「スマートPV」最新モデル
  • 高効率化技術搭載の新型太陽電池モジュール
  • 屋根との一体感を増す新しい施工方法
  • スマートハウスを実現するエネルギーマネジメントシステム 等
小間位置 東1ホール ブースNo.E7-55
会場レイアウト
※クリックすると拡大します。

■PV EXPO 2016(第9回 国際 太陽電池展)

会期 2016年3月2日(水)~4日(金)
10:00~18:00 (最終日のみ17:00終了)
会場 東京ビッグサイト
ホームページ
http://www.pvexpo.jp/

太陽電池の研究開発を加速 新手法セルで製造コスト半減、世界最高水準のセル変換効率を実現

 長州産業株式会社は、CSI (註1)と共同で、現在主流のシリコンウェハーの製法と比較して1/2のコストで製造可能な一辺の長さが156 mmの正方形のシリコン(Si)ウェハーをヘテロ接合太陽電池(SHJ)(註2)に適用する実験を実施し、同様の手法で作製されたSiウェハーを用いた太陽電池の世界最高記録であった21.2%の変換効率を更新し、22.5%の効率を実現することができました。
 2013年11月より弊社とCSIは、この方法で作製されたSiウェハーをSHJに適用する実験を開始しました。CSIは太陽電池用Si ウェハーを製造するための技術を保有しており、その成長速度は4μm/min.に達しています。実験にはCSIから提供されたSiウェハーが用いられました。
 これまでの太陽電池向け単結晶Siウェハーは、多大な電力と材料ロスの多い工程で製造されていました。具体的には、塩化シラン化合物から成るガスを水素などで還元し、多結晶Si粒を製造します。それを摂氏1450度の高温で溶融させ、チョクラルスキー法で単結晶Siのインゴットとした後、ダイヤモンドワイヤーソーで薄くスライスすることでSiウェハーが製造できます。典型的なダイヤモンドワイヤーソーの直径は100μmであり、ウェハーのスライス時にはウェハー厚さ分と同量の鋸屑が発生します。つまり、単結晶Siの半分近くがおがくず状の廃材になってしまいます。
 共同開発の題材となったSiウェハーは、塩化シラン化合物に水素を混合させるところまでは従来法と同じですが、その後、表面を多孔質化する処理を施した土台となるSi基板上に化学気相成長(CVD)法を用いて単結晶Si膜をエピタキシャル成長させます。単結晶Si膜が基板として十分な厚さになった後は、土台となるSi基板を機械的に剥離します。この土台のSi基板は数十回にわたり再利用できます。このタイプのSiウェハーはエピウェハーと呼ばれています。
 本手法を用いれば、Siウェハーを飛躍的に安価にすることが可能となるばかりではなく、従来のダイヤモンドワイヤーソーでは鋸屑が増えて事実上難しかった100μm厚を下回る薄さのSiウェハーの製造も容易になります。さらに、従来の単結晶Siに比べ半分以下の電力消費量で作製することができるという利点もあります。
 この研究の成果を纏めた論文は、Applied Physics Letters誌(註3)に本年発表し、2015年11月3日にカナダの再生可能エネルギーに関する総合科学情報サイトの“再生可能エネルギーの世界的新機軸”(仮訳 Renewable Energy Global Innovations)(註4)に“重要太陽電池論文”(仮訳 Key Solar Cells Articles)として選定され、同サイト(https://reginnovations.org)で紹介されました。
 また、同論文の発表以後も改良を進めた結果として、同手法で作製された太陽電池セルの変換効率は23%に達しています。この成果は2015年9月14日から5日間にわたりドイツのハンブルク市で開催された第31回欧州太陽光発電国際会議にて発表され、日本の企業・研究機関からは唯一となる同会議のハイライトに選出されて注目を集めました。

 弊社は低コスト・高出力・高環境性能が両立するエピウェハーを用いたSHJモジュールを逸早く市場に投入すべく、研究開発に取り組んで参ります。

(註1) CSIについて:Crystal Solar Inc.の略称です。同社は2008年に起業された米国カリフォルニア州の太陽電池用Si基板製造会社です。同社のSi基板製法は、「高スループットエピタキシーによるダイレクト単結晶シリコンウェハー成長法」(仮訳 Direct Monocrystalline Silicon Wafer Growth by High-Throughput Epitaxy)と呼ばれます。
(註2) SHJについて:三洋電機(現パナソニック)によって発明された技術です。この技術は高効率であることや、夏季の高温時にも性能低下が少ないことなどの理由から次世代太陽電池として非常に高い注目が寄せられています。
(註3) Applied Physics Lettersについて:米国物理学協会が毎週発行している権威ある学術雑誌です。
(註4) Renewable Energy Global Innovationsについて:カナダの再生可能エネルギーに関する総合科学情報サイトです。1ヶ月で世界中から約645,000回閲覧され、また世界トップ50のエネルギー、工業系企業、研究所とリンクしています。専門家のチームが、当該研究分野の発展に資する重要な知見を与える論文として高い評価を与えた論文が招請されます。

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