RHEED電子銃および蛍光スクリーン

RHEED電子銃 (仕様) / 蛍光スクリーン

反射高速電子回折(RHEED)用電子銃

反射高速電子回折(RHEED)法は、1977年に井野正三氏によって鮮明なRHEED像が発表されて以来、低速電子回折(LEED)に代わる表面解析手法として広く認知されるようになりました。長州産業のRHEED用電子銃は、当時このRHEED装置の電子銃開発に携わった技術者の一人によって新たに設計、開発されたものです。
RHEEDはLEEDとは異なり、ジオメトリー的に成膜の妨げになることがないため、成膜中にその場観察を行うことができます。そのため現在、RHEEDは結晶表面の構造解析だけではなく、薄膜作製過程のモニター、成膜過程の制御など薄膜成長になくてはならない技術となっています。
鮮明なRHEED像を得るためには高収束、高平行度、高輝度の電子線を発生する電子銃が求められ、RHEED強度解析や位相制御エピタキシー(PLE)のためには安定した電子線を発生することが必要不可欠です。これらの性能を実現するため、弊社の電子銃には長年の研究と経験から得られた技術が多数盛り込まれています。
電子線の収束性、平行性、輝度を決定する要素として、アノード、ウェーネルト、フィラメント形状、それらの位置関係そしてバイアス電圧などがあります。それらが複雑に電子線の収束性、平行性、輝度に影響しています。弊社の電子銃はこれまでの研究により最適化されています。
電子銃の光学系の中でフィラメント、ウェーネルト、アノードの軸合わせは非常に重要なことです。これらが完全に一致していないと望みの性能を引き出すことはできません。そのため弊社の電子銃では電子線を発射させながらウェーネルトとアノードの軸合わせの微調整を行うことが可能になっています(出荷前に軸合わせを行っておりますので、お客様による面倒な微調整は不要です)。

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